DeepLight無(wú)銅硅晶圓是面向集成光子的無(wú)銅硅晶圓深光提供100mm和150mm硅晶圓 ,專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于防止銅擴(kuò)散進(jìn)入光子器件層。我們不是在后段工藝中補(bǔ)救吸收相關(guān)退化，而是在基底層面去除根因。

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更新時(shí)間：2026-06-04

廠(chǎng)商性質(zhì)：代理商

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DeepLight無(wú)銅硅晶圓

1.產(chǎn)品特點(diǎn)：

第一款面向集成光子的無(wú)銅硅晶圓。

采用無(wú)銅硅晶圓構(gòu)建無(wú)吸收損耗的光子集成電路，面向超低損耗和可重復(fù)的晶圓級(jí)光子性能而設(shè)計(jì)。

銅污染--規(guī)?；庾悠骷年P(guān)鍵瓶頸。

2.核心優(yōu)勢(shì)：

在晶圓加工過(guò)程中，即使痕量銅也會(huì)擴(kuò)散進(jìn)入介質(zhì) PIC層。在低損耗光子集成電路中，這種污染會(huì)形成吸收中心，導(dǎo)致熱漂移并降低 Q 因子。

Deeplight的無(wú)銅硅晶圓從基底層面消除這一限制，可實(shí)現(xiàn)：

超低熱漂移與高度穩(wěn)定的諧振

超低光學(xué)損耗與持續(xù)穩(wěn)定的高 Q 因子

整片晶圓范圍內(nèi)器件性能保持一致

Si3N4微諧振腔中可預(yù)測(cè)、可重復(fù)的孤子形成

3.應(yīng)用領(lǐng)域：

適用于高性能微梳、下一代LiDAR、精密傳感平臺(tái)、通信系統(tǒng)和量子光子器件。

銅污染會(huì)在規(guī)模化制造中破壞低損耗集成光子電路的穩(wěn)定性。

隨著應(yīng)用從實(shí)驗(yàn)室走向商業(yè)系統(tǒng)，這一污染問(wèn)題可能成為器件性能的關(guān)鍵障礙。

4.技術(shù)規(guī)格

深光提供100mm和150mm硅晶圓 ,專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于防止銅擴(kuò)散進(jìn)入光子器件層。我們不是在后段工藝中補(bǔ)救吸收相關(guān)退化，而是在基底層面去除根因。

由此形成更潔凈的材料平臺(tái)，在整片晶圓制造和封裝流程中保持光學(xué)純度。

無(wú)需修改您現(xiàn)有的光子芯片制造工藝，不影響代工廠(chǎng)兼容性。

尺寸（英寸）	4 / 6
熱氧化層厚度（ nm）	0 – 9000
最小訂購(gòu)量（片）	10
硅晶圓厚度	300 – 500 µm

5.行業(yè)拓展

深光無(wú)銅晶圓可消除銅向光子層遷移的問(wèn)題，去除光學(xué)吸收和熱漂移的重要來(lái)源。基于這種潔凈的基底平臺(tái)，Si3N4微諧振腔能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定、可重復(fù)的孤子形成；即使在約40GHz的低重復(fù)頻率、熱敏感性很高的條件下也能保持穩(wěn)定。

這使得無(wú)需復(fù)雜調(diào)諧方案即可實(shí)現(xiàn)確定性的 DKS生成，為下一代相干傳感、精密定時(shí)和通信系統(tǒng)提供可靠的微梳運(yùn)行基礎(chǔ)。

DeepLight無(wú)銅硅晶圓